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 Objectifs
Description détaillée des matériaux, techniques et procédés utilisés dans la fabrication des circuits intégrés.
Cahier des charges
Données économiques, matériaux semi-conducteurs, dopage, oxydation, déposition chimique en phase vapeur, photolithographie, gravure, métallisation, filières de fabrication (nMOS, CMOS, bipolaire, SRAMs, DRAMs, ROMs), règles de mise à échelle (scaling), règles de dessin, étude d'éléments de circuits intégrés, mémoires statiques et dynamiques, rendement de fabrication et fiabilité (mécanismes de dégradation des circuits intégrés), techniques de caractérisation, techniques visant à améliorer la qualité du produit.
Résumé
Il traite des sujets suivants : procédés de fabrication des dispositifs semiconducteurs et des circuits intégrés, matériaux semiconducteurs et leur fabrication, oxydation, implantation ionique, techniques de dopage, microgravure, micrométallisation, traitement par plasma, etc... Physique des contacts électriques, de la conduction dans les semiconducteurs polycristallins, mécanismes de dégradation des composants, techniques de mesures des semiconducteurs et des couches minces. Modélisation des processus de fabrication et des caractéristiques des dispositifs sur ordinateur. Règles de mise à échelle (scaling), règles de dessin, étude d'éléments de circuits intégrés.
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http://www.elec.ucl.ac.be/Cours/elec2560.html
Valeurs ECTS de l'activité
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ELEC22
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Deuxième année du programme conduisant au grade d'ingénieur civil électricien
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(5 ECTS)
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ELME23/M
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Troisième année du programme conduisant au grade d'ingénieur civil électro-mécanicien (mécatronique)
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(5 ECTS)
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FSA2DC/EL
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Diplôme d'études complémentaires en sciences appliquées (électricité)
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(5 ECTS)
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FSA3DA
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Diplôme d'études approfondies en sciences appliquées
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(5 ECTS)
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Valeur ECTS par défaut
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(5 ECTS)
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