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 Objectifs
Etude détaillée de la technologie silicium-sur-isolant, (SOI) dans laquelle les transistors (technologie CMOS) sont réalisés dans un film mince de Si. L'accent est mis sur la relation entre les propriétés du matériau (dont on décrit la fabrication) et les propriétés électriques des dispositifs. On y procède à l'étude comparative des transistors SOI et MOS classiques réalisés dans un cristal de silicium "infini". Etude de la physique et des applications des hétérojonctions et des dispositifs à effet quantique.
Cahier des charges
Le cours détaille les sujets suivants : fabrication de fins films de silicium monocristallins sur substrat isolant, techniques de caractérisation du matériau, processus de fabrication des transistors, physique du transistor SOI, propriétés physiques remarquables, autres dispositifs SOI, influence des radiations et de la température sur les dispositifs, circuits ultra-rapides et circuits intégrés tridimensionnels. Physique et applications des hétérojonctions (diagrammes de bandes, HBT, HEMT, LED, diode laser), dispositifs à effet quantique (diode tunnel et dispositifs à faible dimensionnalité).
Résumé
Etude approfondie de divers dispositifs semi-conducteurs.
Autres informations du cahier des charges
ELEC 2541 (conseillé mais non prérequis)
Pour plus d'informations, cliquez ci-dessous
http://www.elec.ucl.ac.be/Cours/elec2550.html
Valeurs ECTS de l'activité
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ELEC22
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Deuxième année du programme conduisant au grade d'ingénieur civil électricien
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(5 ECTS)
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ELEC23
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Troisième année du programme conduisant au grade d'ingénieur civil électricien
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(5 ECTS)
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FSA2DC/EL
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Diplôme d'études complémentaires en sciences appliquées (électricité)
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(5 ECTS)
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FSA2DC/EM
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Diplôme d'études complémentaires en sciences appliquées (électromécanique)
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(5 ECTS)
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Valeur ECTS par défaut
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(5 ECTS)
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