Le dopage d'un semi-conducteur pur va permettre d'amener des charges excédentaires qui amélioreront la conductivité du matériau.

Silicium pur ( figure 2a)	Silicium N (figure 2b)	Silicium P (figure 2c)

Figure 2  : représentation schématique, à plat, des atomes de silicium (4 électrons dans la couche externe).

A l'état pur, le silicium dit « intrinsèque » n'est pas très photoconducteur (cf. figure 2a).

On le dope avec des atomes de phosphore qui ont 5 électrons dans leur couche externe, il y a donc un excédent de charges négatives. Le matériau sera donc potentiellement « donneur » d'électrons, disponibles pour la conduction électrique = silicium de type « n » (cf. figure 2b).

n peut également doper le silicium avec du bore qui a trois électrons dans sa bande de valence, il apparaît donc un excédent de trous donc de charges positives. Le matériau sera donc potentiellement « accepteur » d'électrons = silicium de type « p » (cf. figure 2c).