Dispositifs électroniques

A la fin de cette unité d’enseignement, l’étudiant est capable de :

a. Contribution de l'activité au référentiel AA (AA du programme)

Axe 1 (1.1, 1.2, 1.3), Axe 2 (2.1, 2.2)

Physical basis of electronics (part 1): band structures, semiconductors and metals, phonons, charge transport, generation and recombination of carriers.

Basic electronic devices (part 2): PN junction, bipolar transistor, MOSFET.

b. Formulation spécifique pour cette activité des AA du programme (maximum 10)

À l'issue de ce cours, l'étudiant sera en mesure de :

1. Bases physiques de l'électronique (partie 1) : structure de bandes, semiconducteurs et métaux, phonons, équations de transport des charges et mécanismes de génération et de recombinaison des porteurs

• les expliquer avec des modèles mathématiques et représentations graphiques,
• les intégrer pour résoudre des problèmes simples de physique des semi-conducteurs (par ex., effet Hall, illumination).

2. Dispositifs semiconducteurs de base (partie 2) : la jonction PN, le transistor bipolaire et le transistor MOS de tailles microniques

• identifier et décrire les mécanismes physiques de leur fonctionnement,
• en dériver les modèles mathématiques de leurs caractéristiques électriques en régimes statiques et petits-signaux basse fréquence,
• les représenter graphiquement,
• comparer et discuter ces modèles avec des caractéristiques de dispositifs réels.