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Compléments d'électricité [ LELEC1755 ]


5.0 crédits ECTS  30.0 h + 30.0 h   1q 

Enseignant(s) Janvier Danielle ; Flandre Denis ;
Langue
d'enseignement:
Français
Lieu de l'activité Louvain-la-Neuve
Thèmes abordés Voir résumé
Acquis
d'apprentissage
Ce cours comprend 2 parties : 1. Dispositifs et circuits électroniques : - comprendre - et prévoir - le comportement de dispositifs à semi-conducteurs - en établir des modèles 2. Electromagnétisme : - mettre en équation et calculer les champs électrostatique et magnétostatique pour des structures variées de conducteurs et de charges - appliquer les équations de Maxwell et leurs conditions limites à la résolution des problèmes électromagnétiques - calculer le circuit équivalent (R, L, C) d'une structure tridimensionnelle soumise à un champ électromagnétique - calculer les paramètres fondamentaux des lignes de transmission, avec et sans perte - définir et utiliser les notions de facteur de réflexion et de taux d'ondes stationnaires, ainsi que de l'abaque de Smith - calculer les transitoires sur les lignes de transmission sans pertes - mettre en équation et calculer les champs électrostatique et magnétostatique pour des stuctures variées de conducteurs et de charges - appliquer les équations de Maxwell et leurs conditions limites à la résolution des problèmes électromagnétiques - calculer le circuit équivalent (R, L, C) d'une structure tridimensionnelle soumise à un champ électomagnétique - de calculer les paramètres fondamentaux des lignes de transmission, avec et sans pertes - de définir et d'utiliser les notions de facteur de réflexion et de taux d'ondes stationnaires, ainsi que de l'abaque de Smith - de calculer les transitoires sur les lignes de transmission sans pertes
Contenu 1. Dispositifs et circuits électroniques : a) principes de la conductivité : solides et semi-conducteurs, dopage - effet du potentiel, de la température, de la lumière - équation de Poisson et bases de l'équation du courant b) analyse de la jonction PN : potentiel interne - calcul du courant statique, comportement dynamique, limites du comportement - modèles et utilisation (photodiode) c) technologie : matériau de base - techniques de photogravure et étapes technologiques - réalisation d'éléments de circuit d) analyse de dispositifs électroniques : deux transistors sont analysés, pour en déduire leurs propriétés d'amplification et de commutation, le bipolaire à jonction et le MOS. Pour chacun d'eux, les points suivants sont considérés : - structure physique et principes - analyse statique des différents régimes de fonctionnement, limites des hypothèses - comportement dynamique - modèles et exemples d'utilisation e) circuits intégrés : principes des technologies bipolaire et MOS, paramètres critiques et limites, comparaison - complexité et vérification (tests) 2. Electromagnétisme - équations stationnaires des champs dans le vide : électrostatique, magnétostatique - milieux matériels : matériaux électriques, matériaux magnétiques - équations de Maxwell - éléments de circuits : liaisons avec circuits, effets de peau, courants de Foucault, circuits magnétiques, limitations physiques de la théorie des circuits localisés - équations fondamentales des lignes en régime harmonique, tension, courant et impédance de ligne, facteur de réflexion et taux d'ondes stationnaires - construction et utilisation de l'abaque de Smith - méthodes d'adaptation des lignes - calcul des transitoires sur les lignes de transmission
Autres infos Prérequis : Cours de BAC11 et 12 Ingénieur Civil Support pédagogique : 1. Dispositifs et circuits électroniques : La copie des notes de cours et les transparents servant à l'exposé sont disponibles sur le site http://www.icampus.ucl.ac.be/ELEC2755 2. Electromagnétisme "Electromagnétisme, champs, circuits", A. Vander Vorst, De Boeck Mode d'évaluation : Examen
Cycle et année
d'étude
> Bachelier en sciences de l'ingénieur, orientation ingénieur civil
Faculté ou entité
en charge
> ELEC


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